4月24日，中国科学院新疆理化技术研究所所长潘世烈教授应邀做客南昌大学物理与材料学院“材·器”论坛，以《深紫外光电功能晶体创制》为题，为广大师生带来了一场精彩的学术报告。
深紫外激光在精密光谱分析、纳米光刻、前沿科学研究等领域具有重要应用价值。然而，深紫外晶体的研发面临“带隙—倍频效应—双折射”三要素相互制约、难以平衡的核心科学挑战。报告中，潘世烈教授系统分享了其团队从理论设计、材料合成、晶体生长到器件研制的全链条协同创新历程。围绕深紫外非线性光学晶体的创制，团队精准锚定硼酸盐优势体系，创新提出“氟化策略”设计理念，成功开发出一系列综合性能优异的氟化硼酸非线性光学晶体。其中，团队创制的氟化硼酸铵（ABF）新型晶体，实现了158.9 nm的深紫外倍频输出；进一步提出全波段相位匹配新机制，设计出倍频波长短于150 nm的新型晶体，为下一代深紫外光电功能晶体的发展提供了重要支撑。
报告结束后，现场师生反响热烈，围绕深紫外光电功能晶体的生长与应用、科研选题、创新思路等问题，与潘世烈教授进行了深入交流。潘教授还分享了其长期扎根边疆、深耕光电功能晶体领域、带领团队服务国家重大战略的科研经历，勉励同学们树立科研报国的理想与信念，将个人追求融入国家发展大局。
潘世烈，理学博士，研究员，博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者，第二批国家“万人计划”科技创新领军人才，百千万人才工程国家级人选，中国科学院高层次人才计划入选者，国务院特殊津贴专家，英国皇家化学会会士。现任中国科学院新疆理化技术研究所所长、中国科学院“特殊环境功能材料与器件”重点实验室主任。目前主要从事无机光电功能晶体材料研究。先后在Nature，Nat. Photonics，Nat. Commun.，Chem. Rev.，Acc. Chem. Res.，Adv. Mater.，J. Am. Chem. Soc.，Angew. Chem. Int. Ed.等刊物上发表SCI论文700余篇，论文被引用30000余次，33篇论文入选“ESI”高被引论文。授权中、美、英、日等国专利100余件。应邀担任激光与光电子学进展副主编、人工晶体学报副主编、ACS Applied Optical Materials、The Innovation、Science China Materials、Journal of Solid State Chemistry国际编委和Chinese Journal of Structural Chemistry、硅酸盐学报等期刊编委。曾获新疆科学技术奖特等奖（1项）、新疆专利特等奖（1项）、新疆自然科学奖一等奖（2项）、新疆科技进步奖一等奖（3项）、中国青年科技奖（1项）、中国科学院青年科学家奖（1项）等。
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