（本院讯 涂丹）1月9日下午材料学院举办材料论坛。来自武汉大学的郭宇铮教授应邀作了题为“半导体的金属接触与费米钉扎效应”的学术报告

郭宇铮教授本科就读于北京大学物理学院，随后获得剑桥大学工程博士并获。他围绕电子材料、电子器件、新型半导体材料、新能源材料等方面，长期从事理论计算模拟工作，目前已发表SCI论文60余篇，引用1000余次。入职武汉大学电气与自动化学院，担任教授、博士生导师。

报告中，郭教授以半导体工业界所关注的硅、锗材料的肖特基接触势垒问题为起点，首先介绍了其中常见的费米能级钉扎效应，接下来他讲述了引起传统半导体中费米能级钉扎效应的主要原因，以及调节接触界面附近的态密度对降低接触势垒的重要影响，并进一步推广介绍了二维材料的接触界面问题。随后他介绍了通过插入铋或锑薄层的方法，预期将能有效降低钉扎效应，改善接触。

来自材料学院的二十多位师生出席。论坛气氛活跃，在座的各位师生与郭教授就半导体材料中接触的复杂性、当前工业界关注的问题、铁电栅极等多个问题进行了热烈讨论，郭教授也就对实验上进行接触改善提供了一些有益的建议，并期望能与学院相关课题组开展理论与实验结合的合作。

编辑：陈建琴