曹盛，江西南昌人，博士，副研究员，硕士生导师。2006年中国科学技术大学获学士学位，2011年中国科学院上海硅酸盐研究所获博士学位。主持中央引导地方基金项目1项，以第一发明人获授权发明专利1件，以第一作者或通讯作者发表论文2篇；获国家及江西省教学成果奖各一项。研究方向：Micro LED显示产品开发。

联系方式：

邮箱：caosheng@ncu.edu.cn

承担科研项目:

主持中央引导地方科技发展资金项目：国家硅基LED工程技术研究中心；项目号20221ZDD02004；经费100万元；执行年限2022年1月-2022年12月。

授权专利情况：

1、曹盛，徐龙权，张建立，全知觉，赵鹏，罗磊，江风益；一种用于MOCVD设备的喷淋头，中国发明专利，ZL201611022509.1。

2、徐龙权，丁杰，张建立，曹盛，赵鹏，罗磊，江风益；一种化学气相沉积装置，中国发明专利，ZL201611222834.2。

3、 全知觉，吴佳楠，曹盛，高江东，王立，江风益；AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法，中国发明专利，ZL 202210470285.X。

   4、全知觉，何丽华，曹盛，佟金山，汤绘华，王立；一种类分子束外延设备及薄膜制备方法，中国发明专利，ZL 202210423243.0。

发表论文情况：

1、Sheng Cao, Xiaoming Wu*, et al. Carrier Dynamics Determined by Carrier-Phonon Coupling in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Blue Light Emitting Diodes. CHINESE PHYSICS LETTERS. 2019,36(2):028501.

2、Qingfeng Wu, Sheng Cao*, Chun-lan Mo, et al. Effects of Hydrogen Treatment in Barrier on the Electroluminescence of Green InGaN/GaN Single-Quantum-Well Light-Emitting Diodes with V-Shaped Pits Grown on Si Substrates. CHINESE PHYSICS LETTERS. 2018,35(9):098501.