赵婕博士，1989年出生，南昌大学副教授，江西省“青年井冈学者”入选者。2007-2017年本硕博均毕业于南昌大学，期间在德国伍珀塔尔大学从事研究工作，2017年起在南昌大学工作。主要研究方向聚焦于光电信息材料与器件及其在交叉学科领域的应用。目前以通讯作者/第一作者在Advanced Energy Materials、Advanced Electronic Materials、ACS Applied Materials & Interfaces、 Journal of Materials Chemistry C 等，获1项国家自然科学基金青年项目、1项江西省自然科学基金青年项目、1项江西省自然科学基金青年重点项目（全额资助），获国家发明专利 2 项。

承担科研项目

1、卤族钙钛矿阻变存储器中界面调控的低阻态非线性电流特性研究，国家自然科学基金青年项目，2021.01-2023.12，在研；

2、界面协同调控的卤族钙钛矿自整流型和互补型阻变效应研究，江西省自然科学基金青年重点项目（全额资助），2020.12-2023.12，在研；

3、有机无机杂化钙钛矿纳米材料中陷阱诱导的电阻开关及非易失性存储性能研究，江西省自然科学基金青年项目，2018.01-2020.12，已结题；

代表性学术成果

1、Light-Induced Anomalous Resistive Switches Based on Individual Organic-Inorganic Halide Perovskite Micro-/Nanofibers，Advanced Electronic Materials, 2018, 4(9): 0-1800206.

2、Self-Encapsulating Thermostable and Air-Resilient Semitransparent Perovskite Solar Cells，Advanced Energy Materials, 2017, 7(14): 0-1602599.

3、Suppressed decomposition of organometal halide perovskites by impermeable

electron-extraction layers in inverted solar cells，Nature Communications, 2017, 8: 0-13938.

4、GateFree Controlled Multibit Memories Based on Individual ZnO:In Micro/Nanowire Back-to-Back Diodes，Advanced Electronic Materials, 2016, 2(4): 0-1500395.

5、Ultra-high performance negative thermal-resistance switching based on individual

ZnO:K,Cl micro/nanowires for multibit nonvolatile resistance random accessmemory dual-written/erased repeatedly by temperature or bias，Journal of Materials Chemistry C, 2015, 3(47): 12220-12229.

6、国家发明专利，一种基于陷阱态调控的非易失性多比特微/纳米阻变存储器及使用方法，ZL201610160435.1.

7、国家发明专利，一种基于单根一维同质结微/纳米线的热发电机及其发电方法，ZL201510424606.2.

邮箱：jzhaoncu@163.com，

办公室：材料楼A304