吴庆丰，1980年出生，南昌大学物理系讲师，博士毕业于南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。目前主要研究方向为光电材料与器件应用。近年来，在Journal of Physics D: Applied Physics, Superlattices and Microstructures，ACS Photonics等国际刊物发表SCI论文多篇，参与完成国家自然科学基金3项。

*Email:wuqingfeng@ncu.edu.cn

主持或参加科研项目：

（1）国家自然科学基金委员会，地区科学基金项目，11964018，宽光谱响应的硅基中间带光伏材料的可控构筑及其器件的多允带输运机制研究，2020-01至2023-12，40万元，在研，参与

（2）国家自然科学基金委员会，青年科学基金项目，51602141，基于V型坑的InGaN三维量子阱生长与性能研究，2017-01至2019-12，20万元，结题，参与

（3）国家自然科学基金委员会，青年科学基金项目，11604137，InGaN/GaN多量子阱中声子与激子耦合行为研究，2017-01至2019-12，24万元，结题，参与

代表性学术成果：

(1) Zheng CD, Wu QF, Guo SH, et al. The correlation between limiting efficiency of indoor photovoltaics and spectral characteristics of multi-color white LED sources. Journal of Physics D: Applied Physics, 2021, 54(31):315503 (10pp).

(2) Wu QF, Cao S, Mo Cl, et al. Effects of Hydrogen Treatment inBarrier on the Electroluminescence of Green InGaN/GaN Single-Quantum-WellLight-Emitting Diodes with V-Shaped Pits Grown on Si Substrates , ChinesePhysics Letters, 2018, 35(9): 0-098501.

(3) Lv, QJ, Liu, Jl, Mo, Cl, et al. Realization of Highly Efficient InGaN Green LEDswith Sandwich-like Multiple Quantum Well Structure: Role of Enhanced InterwellCarrier Transport , ACS Photonics, 2019, 6(1): 130-138.

(4) Wu QF, Zheng CD, Fang LG. Effect of field dependenttrap occupancy on current conduction in single layer organic light-emittingdevices including both bulk and injection effects, Optoelectronics and AdvancedMaterials-Rapid Communications, 2011, 5(5-6): 510-513.1.