李树强，男，汉族，1972年12月生，理学博士，研究员，江西省千人计划专家，国家科技部重点研发计划项目课题负责人。

1999年至2016年在山东大学工作，2016年起在南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心工作。

主要研究方向：Ⅲ-Ⅴ族半导体电子材料外延生长、管芯制备和器件制作工艺和技术研究，具有开发高功率半导体激光器、高亮度AlGaInP红黄色LED和GaN蓝绿色LED外延材料、芯片和器件实战经历。

主持国家科技部、工信部、国家发改委等主管部门下达的纵向课题项目10余项，在《物理学报》、《中国激光》、《光电子激光》、《人工晶体学报》、《Chinese Optics Letters》、《Journal of Alloys and Compounds》等刊物上发表论文20余篇，授权发明专利14项，实用新型专利20余项。

主要承担项目：

1.江西省千人计划项目，高效率薄膜红光AlGaInP LED开发及产业化，S2018CQKJ0005，2018/07~2021/06，200万元，在研              ，主持；

2.江西省重大研发专项，硅衬底高光效长波长发光材料与芯片制造技术研究及产业化，20182ABC28003，2018/01~2021/12，1000万元，在研，主持；

3.科技部国家重点研发专项，高光效红光LED材料与芯片制造技术，2016YFB0400603，2016/07~2020/06，1494.6万元，在研，主持；

4.科技部“863计划”重点研发项目，SiC衬底外延制备高效白光LED技术，2012AA03A115，2012/05~2016/06，1897万元，结题，主持。

发表论文：

1.王苏杰，李树强*，吴小明，陈芳，江风益，热退火处理对AuGeNi/n-AlGaInP欧姆接触性能的影响.物理学报[J]，2020，69(4): 048103-1~7.

2.刘军林，莫春兰，张建立，王光绪，徐龙权，丁杰，李树强，王小兰，吴小明，五基色LED照明光源技术进展[J]. 照明工程学报，2017，28(1):1-4，29.

3.Peixu Li，Kai Jiang，Xin Zhang，Qingmin Tang，Wei Xia，Shuqiang Li，ZhongxiangRen，XiangangXu，20.8W TM Polarized GaAsP Laser Diodes of 808nm Wavelength，Proc.of SPIE，2013，Vol.8605:10.

4.蒋锴，李沛旭，张新，李树强，夏伟，汤庆敏，MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料[J]. 人工晶体学报，2012(S1):285-288.

5.HuayongXu，XiaoboHu，XiangangXu，Yan Shen，ShuangQu，Chengxin Wang，Shuqiang Li，Gallium vacancies related yellow luminescence in N-face GaN epitaxial film[J]. Applied Surface Science，2012，258(17):p.6451-6454.

6.李沛旭，蒋锴，张新，汤庆敏，夏伟，李树强，任忠祥，徐现刚，62%电光转换效率的高功率808nm半导体激光器[J].光学学报，2011，Vol.31:S100308-1~3.

7.ShuangQu，Chengxin Wang，Shuqiang Li，XiangangXu*，HuihuiShao，Yan Peng，YuqiangGao，Xiufang Chen，XiaoboHu*，Influence of the misorientation of 6H–SiC substrate on the quality of GaNepilayer grown by MOVPE[J]. Journal of Alloys & Compounds，2011，509(8):0-3660.

8.邵慧慧，李树强，曲爽，李毓锋，王成新，徐现刚，湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究[J].人工晶体学报，2010(06):101-103.

9.Peixu Li，Kai Jiang，Shuqiang Li，Wei Xia，Xin Zhang，Qingmin Tang，ZhongxiangRen，Xiangang，Xu*，Influence of the upper waveguide layer thickness on optical field in asymmetric heterostructure quantum well laser diode[J]. 中国光学快报:英文版，2010(5):493-495.

10.王海卫，张新，李沛旭，汤庆敏，李树强，夏伟，徐现刚，4.8W连续输出大功率红光半导体激光器的研制[J].半导体技术，2010，Vol.35:87-89.

2009年

11. 马德营，李佩旭，夏伟，李树强，汤庆敏，张新，Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7W)660nm AlGaInP宽面半导体激光器[J]. 人工晶体学报，2009，(3):67-71.

12.Peixu Li，Ling Wang，Shuqiang Li，Wei Xia，Xin Zhang，Qingmin Tang，ZhongxiangRen，XiangangXu，MOCVD growth of AlGaInP/GaInP quantum well laser diode with asymmetric cladding structure for high power applications[J].CHINESE OPTICS LETTERS，2009，Vol.7，No.6.

13. 李沛旭，夏伟，李树强，张新，汤庆敏，任忠祥，徐现刚，MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808nm无铝量子阱激光器[J].半导体技术，2008(S1):65-67.

1.4朱学亮，曲爽，刘存志，李树强，夏伟，沈燕，任忠祥，徐现刚，SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED[J].半导体技术，2008(s1):187-189.

15. 夏伟，马德营，王翎，李树强，汤庆敏，张新，高透腔面大功率650 nm红光半导体激光器[J]. 中国激光，2007，34(9).

16. 李树强，夏伟，马德营，张新，徐现刚，蒋民华，PIN结构发光二极管反向击穿特性分析[J].光电子.激光，2006，17(4)：506-508

17. 李树强，马德营，夏伟，陈秀芳，张新，任忠祥，徐现刚，蒋民华，Mg掺杂AlInP 650nm LD外延片的Zn扩散研究[J].光电子.激光，2006，17(7):854-856.

18. 于永芹，黄柏标，尉吉勇，潘教青，周海龙，岳金顺，李树强，张晓阳，秦晓燕，陈文澜，齐云，王笃祥，任忠祥，MOCVD生长InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱(英文)[J]. 光电子.激光，2003，14(3):244-247.

19. 于永芹，黄柏标，周海龙，魏吉勇，潘教青，岳金顺，李树强，陈文斓，齐  云，秦晓燕，张晓阳，王笃祥，任忠祥，用MOCVD 方法生长940 nm 应变多量子阱发光二极管[J].光电子•激光  ，2002，13(7)：682-684.

20. 李树强，陈江华，于复生，夏伟，张福厚，980nm应变单量子阱的理论设计[J].光电子.激光，2000，27(8)：682-686

21. 于复生，陈江华，李树强，LD泵浦的声光调Q腔内倍频固体激光器[J]. 半导体光电，2000，21(4):249-252.

22. 于复生，艾兴，李树强，张福厚，大功率激光二极管的精密Fuzzy+PI温控系统设计[J]. 测控技术，2000，(9):33-35.

1998年

23. 张福厚，陈江华，李树强，于复生，曾一平，量子阱激光器超晶格缓冲层的研究[J]. 半导体光电，1998，19(3):202-204.

联系方式

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