莫春兰博士，1976年出生，南昌大学研究员，硕士生导师。1998-2006年本硕博均毕业于南昌大学，2001年起在南昌大学工作。主要从事半导体发光材料与器件的研究。参与和主持国家重点研发项目、国家自然科学基金等10余项；发表论文20余篇，获授权专利近10余项。

承担科研项目

国家重点研发计划, “高品质、全光谱无机半导体照明材料、器件、灯具产业化制造技术”子课题，2016YFB0400601, 参与单位负责人，2016 -2020，971.49万元，在研




江西省重点研发计划， 硅基高光效绿光LED芯片关键技术攻关及产业化，20165ABC28007，参与单位负责人，2017-2019，550万，已结题




国家科技支撑计划,硅基高亮绿光LED研发，2011BAE32B01, 2011.09- 2014.08，1369万元，已结题，参加




江西省重大专项,与MOCVD装备配套的LED芯片制造技术的研发, 20114ABF06104,2012.01-2014.12，100万，已结题，参加

代表性学术成果

（1）廖芳, 莫春兰∗, 王小兰, 郑畅达, 全知觉, 张建立, 江风益，量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能影响的研究[J].发光学报，2020，41（4）:429-434.

（2）Zhenxu Wang, Chunlan Mo∗, ChangdaZheng, Xiaoming Wu, Junlin Liu, Fengyi Jiang. Effect of AlGaN interlayer in bottom quantum barriers on efficiency enhancement of InGaN green light-emitting diodes, Superlattices and Microstructures, 2019,128:307–311.

（3）Xi-xia Tao(陶喜霞), Chun-lan Mo(莫春兰)*, Jun-lin Liu (刘军林), Jian-li Zhang(张建立), Xiao-lan Wang(王小兰), Xiao-ming Wu(吴小明), Long-quanXu(徐龙权), Jie Ding(丁杰), Guang-xu Wang(王光绪), Feng-yi, Jiang(江风益)，Electroluminescence from the InGaN/GaNsuperlattices interlayer of yellow LEDs with large V-pits grown on Si (111)，Chinese Physics Letters，2018,35（5）:057303

（4）吕全江;莫春兰*;张建立;吴小明;刘军林;江风益,量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响, 发光学报,2017, 38(7):923-929

（5）Ai-Xing Li, Chun-Lan Mo*, Jian-Li Zhang, Xiao-LanWang,Xiao-Ming Wu, Guang-Xu Wang, Jun-Lin Liu, Feng-Yi Jiang,Effect of Mg-Preflow for p-AlGaN Electron Blocking Layer on the Electroluminescence of Green LEDs with V-Shaped Pits, Chinese Physics Letters ,2018, 35(2):94-98

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