一、个人简介

郑畅达博士，1979年出生，南昌大学副研究员，硕士生导师。2001年本科毕业于景德镇陶瓷学院热能与动力工程专业，2014年博士毕业于南昌大学材料物理与化学专业；参与/主持国家及江西省重大专项、国家及江西省自然科学基金等10余项；发表论文50余篇，获授权及申请专利5项。

二、研究兴趣

主要从事硅衬底氮化镓基材料生长与器件制备的研究及产业化工作。现就职于南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心，研究方向：半导体发光器件制造与机理研究。

三、联系方式：

地 址： 南昌市高新区艾溪湖北路679号南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心

邮 编: 330096

E-mail: zhengchangda@ncu.edu.cn.

四、承担课题情况

1、国家自然科学基金地区项目，《高光效InGaN绿光MicroLED的外延结构设计与生长优化研究》，62164008，主持，2022.01—2025.12,35万，在研。

2、江西省重大研发专项课题，《衬底高光效长波长发光材料与芯片制造技术研究及产业化》，20182ABC28003，课题负责人，500万，2018.01—2021.12，结题。

3、科技部科技支撑计划，《高P型导电率氧化锌薄膜设计和制备》，2009GJC50021，子课题负责人，50万，2010.06—2012.12，结题。

4、企校合作横向课题，《高质量氧化锌薄膜制备》，主持，5万，2010.11—2013.01，结题。

五、代表性学术成果

[1] Quan-Jiang Lv,Yi-Hong Zhang,Chang-Da Zheng*. Analysis of stress-induced inhomogeneous electroluminescence in GaN-based green LEDs grown on mesh-patterned Si (111) substrates with n-type AlGaN layer. Chinese Physics B. 2020. 29(8). 87801

[2] Jiang Xingan, Zheng Changda*, Mo Chunlan, Wang Xiaolan, Zhang Jianli, Quan Zhijue, Liu Junlin, Jiang Fengyi. Study on the performance of InGaN-based green LED by designing different preparing layers. Optical Materials. 2019. 89. 505-511

[3] Jiang Xingan, Zheng Changda, Mo Chunlan, Wang Xiaolan, Zhang Jianli, Quan Zhijue, Liu Junlin, Jiang Fengyi. Interface modification of two-step grown InGaN/GaN superlattices preparing layers for InGaN-based green LED on silicon substrate. Superlattices and Microstructures. 2019. 126. 120-124

[4] Xu Chen, Zheng Changda*, Wu Xiaoming, Pan Shuan, Jiang Xingan, Liu Junlin, Jiang Fengyi. Effects of V-pits covering layer position on the optoelectronic performance of InGaN green LEDs. Journal of Semiconductors. 2019. 40(5). 52801

[5] Zhang Yihong, Lv Quanjiang,Zheng Changda*, Gao Jiangdong, Zhang Jianli, Liu Junlin. Recombination pathways and hole leakage behavior in InGaN/GaN multiple quantum wells with V-shaped pits. Superlattices and Microstructures. 2019. 136. 106284

[6] Zheng Changda, Wang Li, Mo Chunlan, Fang Wenqing et al., Effect of Same-Temperature GaN Cap Layer on the InGaN/GaN Multiquantum Well of Green Light-Emitting Diode on Silicon Substrate. The Scientific World Journal, 2013, 2013: 4.

[7] Zheng Chang-da, Wang Li, Mo Chun-lan, Fang Wen-qing, Pu Yong, Xiong Chuan-bing, Jiang Feng-yi. Efficiency improvement of vertical structure GaN blue LEDs on Si(111) substrate by surface roughening. JOURNAL OF CENTRAL SOUTH UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. 2007. 142. 127-130