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个人信息

出生年月:1985年6月18日性别:男籍贯:江西新余

工作单位：南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心职称：副研究员

教育背景

南昌大学(国家Si基LED工程技术研究中心)半导体发光材料与器件博士研究生2010.9-2014.12

(导师:江风益院士)

中国人民大学经济思想史硕士研究生2007.9-2009.7

华中科技大学材料成型与控制工程本科生2003.9-2007.7

学术论文

Xiaoming Wuet al.“Electroluminescence from the sidewall quantum wells in the V-shaped pits of InGaN light emitting diodes”. Appl. Phys.Lett.vol.104, p.221101,2014.（SCI 二区）

Xiaoming Wuet al. “The effect of silicon doping in the barrier on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes”.J.Appl.Phys. vol. 114,p.103102, 2013.

Xiaoming Wuet al. “Hole injection from the sidewall of V-shaped pits into c-plane MQWs in InGaN light emitting diodes”. J. Appl. Phys. vol. 118,p.164504, 2015,该文获国际著名半导体行业杂志Semiconductor Today专题报道。

Sheng Cao, Xiaoming Wu*, Junlin Liu, Fengyi Jiang，“Carrier Dynamics Determined by Carrier-Phonon Coupling in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Blue Light Emitting Diodes”. Chinese physics letters, 2019. 36(02): p. 92-95.

项目

InGaN/GaN多量子阱中声子与激子耦合行为研究国家自然科学基金青年基金项目负责人2017.01-2019.12

专利

吴小明，刘军林，江风益。一种氮化物发光二极管的外延结构，专利号：ZL 201310543241.6。

吴小明 刘军林 陈芳 江风益。一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构，专利号：ZL201910083328.7

吴小明 陈芳 陶喜霞 王光绪 李树强 江风益。一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片及其制备方法，申请号：202010017131.6

吴小明 陈芳 陶喜霞 李树强 江风益。一种反射镜和P电极相互独立的AlGaInP LED芯片及制备方法，申请号：202010222574.9。

吴小明 陈芳 莫春兰 王光绪 郭醒 罗昕 陶喜霞 李树强 丁杰 胡武民。一种具有P面钝化层的AlGaInN基LED制备方法，申请号：202010798818.8

其他

主持开发的“高光效AlGaInP基红光LED芯片制造技术”，经全国科研院所、高等院校、检测机构、联盟、协会、学会共12名专家鉴定，达到国际先进水平。

研究方向及兴趣

高功率硅衬底GaN基绿光及黄光LED芯片研发；

高功率AlGaInP红光LED芯片研发；

MicroLED芯片技术研发；